浙江省半导体行业协会

    目前，杭州镓仁半导体有限公司（下称“镓仁半导体”）生产的高质量氧化镓衬底，已稳定批量供应德国科技企业NextGO.Epi，这标志着双方合作进入长期稳定的采购新阶段。该合作始于2025年5月双方签署的全球战略协议，此后产品历经多轮性能验证与适配评估，最终凭借优异表现获得客户高度认可。

    NextGO.Epi是欧洲专注于氧化镓外延的头部科技企业，在外延工艺与器件开发领域拥有深厚的技术积累和多项国际专利，其外延片已与欧洲多所高校科研合作。该企业对衬底供应商的选择标准极为严格，不仅要求衬底本身的质量达标，更要求供应商具备持续、稳定、可预期的交付能力。

图1 镓仁半导体衬底

自研法制备高质量衬底

    此前，全球氧化镓衬底的主流路线以日本企业的导模法为代表，该技术成熟度高，但核心瓶颈在于依赖贵金属铱坩埚，直接制约了产能扩张和成本控制，也导致下游客户面临交付周期不确定、价格波动大的风险。

    镓仁半导体基于自主研发的铸造法，开辟了中国特色的差异化技术路线。该方法大幅减少贵金属铱的用量，显著降低成本。晶体生长效率提高至导模法的10倍以上，且可生长超厚晶体，单片晶锭出片量大，工艺简单可控。这些突破为规模化量产扫清了关键障碍。经NextGO.Epi检测，镓仁半导体提供的衬底质量优异，XRD摇摆曲线半高宽（FWHM）测量结果小于90 arcsec，远优于同类产品。

图2 镓仁半导体衬底测试结果

头部客户验证稳定可靠

    过去一年中，镓仁半导体的氧化镓衬底历经NextGO.Epi多轮性能验证与适配评估，在镓仁半导体提供的衬底上生长的外延厚度均达450 nm，其中（100）晶面在载流子浓度为4×10¹⁷ cm⁻³ 时，电子迁移率达140 cm²/Vs；（010）晶面在载流子浓度为5×10¹⁷ cm⁻³ 时，电子迁移率为135 cm²/Vs。外延片表现稳定可靠，综合性能优于同类产品。基于该外延片制备的功率器件，将会具有更高耐压能力与更低导通损耗。

正是得益于镓仁半导体独特的“设备—长晶—衬底—外延”全流程自主可控体系，批次间质量一致性得到有效保障，双方合作也因此不断走向深入。

图3 NextGO.Epi外延片测试结果（基于镓仁半导体衬底）

    在全球科技竞争与合作中，氧化镓产业已逐渐走入各国尖端科技的战略视野，我国“十五五”期间将推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体材料产业化发展。氧化镓正加速成长为功率半导体市场的主流材料之一。

    面向未来，镓仁半导体将与NextGO.Epi等全球优质伙伴持续深化协同，依托铸造法技术壁垒与全链条自主可控能力，共同攻克超宽禁带半导体产业化的核心关卡，为全球半导体的发展注入中国力量。